骁龙835快充搭载了更高规格的快充技术，兼容TypeC接口，较上一代快百分之二十。骁龙835采用先进的10纳米工艺，尺寸减小百分之三十五，功耗相比21降低了百分之二十五。骁龙835核心数有上一代的四核升级为八核，主频更高，内置的GPU更强。骁龙835相比821支持更高规格的基带和蓝牙5、0，对双摄像头支持更好，支持4K屏、8GB大内存。